首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

IS61DDB22M36-300M3

72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Integrated Silicon Solution ( ISSI )

下载文档
IS61DDB22M36-300M3 在线购买

供应商:

器件:IS61DDB22M36-300M3

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码
BGA
包装说明
15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
针数
165
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
0.35 ns
其他特性
PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)
300 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
JESD-609代码
e0
长度
17 mm
内存密度
75497472 bit
内存集成电路类型
DDR SRAM
内存宽度
36
功能数量
1
端子数量
165
字数
2097152 words
字数代码
2000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
2MX36
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装等效代码
BGA165,11X15,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
1.5/1.8,1.8 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.4 mm
最小待机电流
1.7 V
最大压摆率
0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.89 V
最小供电电压 (Vsup)
1.71 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
15 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与IS61DDB22M36-300M3相近的元器件有:IS61DDB22M36-300M3L、IS61DDB22M36-300M3LI、IS61DDB22M36-250M3L、IS61DDB22M36-250M3、IS61DDB22M36。描述及对比如下:
型号 IS61DDB22M36-300M3 IS61DDB22M36-300M3L IS61DDB22M36-300M3LI IS61DDB22M36-250M3L IS61DDB22M36-250M3 IS61DDB22M36
描述 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams 72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) ddr-II (burst of 2) cio synchronous srams
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 不符合 -
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) - -
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA -
包装说明 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 LBGA, BGA165,11X15,40 LBGA, BGA165,11X15,40 LBGA, BGA165,11X15,40 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 -
针数 165 165 165 165 165 -
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant -
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A -
最长访问时间 0.35 ns 0.35 ns 0.35 ns 0.35 ns 0.35 ns -
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE -
最大时钟频率 (fCLK) 300 MHz 300 MHz 300 MHz 250 MHz 250 MHz -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 -
JESD-609代码 e0 e1 e1 e1 e0 -
长度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm -
内存密度 75497472 bit 75497472 bit 75497472 bit 75497472 bit 75497472 bit -
内存集成电路类型 DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM -
内存宽度 36 36 36 36 36 -
功能数量 1 1 1 1 1 -
端子数量 165 165 165 165 165 -
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words -
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C -
组织 2MX36 2MX36 2MX36 2MX36 2MX36 -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA -
封装等效代码 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 260 260 NOT SPECIFIED -
电源 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm -
最小待机电流 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V -
最大压摆率 0.6 mA 0.6 mA 0.6 mA 0.55 mA 0.55 mA -
最大供电电压 (Vsup) 1.89 V 1.89 V 1.89 V 1.89 V 1.89 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.71 V 1.71 V 1.71 V 1.71 V 1.71 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V -
表面贴装 YES YES YES YES YES -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) TIN SILVER COPPER Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL -
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10 40 10 NOT SPECIFIED -
宽度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm -
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
需要登录后才可以下载。
登录取消